SiC MOSFET Halb- und H-Brücken-Leistungsmodule von Vincotech

Die neuen flowDUAL SiC E1 und fastPACK SiC E1/E2 wurden mit dem Ziel entwickelt, Ladestationen schneller, kleiner und effizienter zu gestalten. Die Module basieren auf den neuesten 650V und 1200V SiC MOSFET Chip-Generationen mit einem RDS(on) von nur 5mOhm. Neben der Optimierung der Leistung legt Vincotech grossen Wert auf die Zuverlässigkeit. Mit der neuen fortschrittlichen Die-Attach-Technologie können diese neuen Module die Lebensdauer im Power Cycling um den Faktor 2 verlängern.

Weitere Vorteile

  • Multi-sourced SiC-Komponenten für mehr Wahlfreiheit und weniger Risiko in der Lieferkette ­
  • Optional integrierte Kondensatoren für verbesserte EMV-Leistung ­
  • Einpressstifte und vorapplizierte Wärmeleitpaste zur Reduzierung der Produktionskosten
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Das Baukastensystem erlaubt es den Integrationsgrad passend für die jeweilige Anwendung zu wählen. Sie entscheiden, ob ein DC-DC Power Supply oder ein Gate Driver Modul genügen oder ob Sie eine fertige Gate Driver Unit benötigen. Unsere Experten unterstützen gerne bei der Auswahl und Zusammenstellung der optimalen Komponenten. Ab sofort können Sie unverbindlich Muster ab unserem Schweizer Lager bestellen!

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Philippe Muller

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